P04000 - SEMI P40 - 極紫外線リソグラフィマスクの取り付けに関する要求条件およびアライメント基準位置の仕様 Revision:SEMI P40-1103 - Superseded この安全ガイドラインは，FLDの上流と下流の圧力比（上流圧/下流圧）が臨界圧力比以上であることに起因する臨界流量において作動するFLDを取り扱うものである。

この安全ガイドラインは，FLDの上流と下流の圧力比（上流圧/下流圧）が臨界圧力比以上であることに起因する臨界流量において作動するFLDを取り扱うものである。

This Guide provides definitions used for identification of UPW system components and other commonly used terms associated with the semiconductor facility water systems

The purpose is to:

SEMI G75-0698 (Reapproved 0615)

previously published August 2015

P04000 - SEMI P40 - 極紫外線リソグラフィマスクの取り付けに関する要求条件およびアライメント基準位置の仕様 Revision:SEMI P40-1103 - Superseded この安全ガイドラインは，FLDの上流と下流の圧力比（上流圧/下流圧）が臨界圧力比以上であることに起因する臨界流量において作動するFLDを取り扱うものである。Global Micropatterning CommitteeNorth American Micropatterning Committee200393North American Regional Standards Committee20039www. semi. org200311 EUVL Referenced SEMI Standards SEMI P37 Specification for Extreme Ultraviolet Lithography Mask Substrates SEMI P38 Specification for Absorbing Film Stacks and Multilayers on Extreme Ultraviolet Lithography Mask Blanks